深圳市浩畅半导体有限公司

MOSFET/场效应管 SI2323

产品型号：SI2323

产品封装：SOT-23

产品品牌：HC/浩畅

是否环保：无铅环保

包装：3000PCS

P沟道增强型功率MOSFET

漏极-源极电压（VDS）:-20V

漏极电流（ID）:-4.7A

漏源电流脉冲IDM:-20A

栅源电压（VGS）: ±8V

结温（TJ）:150℃

储存温度（TSTG）:-55~150℃

耗散功率（PD）:1.25W

栅源极开启电压VGS(th):-0.4 ~ -1.0V

栅源截至电流IGSS(F/R): ±100nA

产品特性

(1)转移特性：栅极电压对漏极电流的控制作用称为转移特性。

(2)输出特性： UDS与ID的关系称为输出特性。

(3)结型场效应管的放大作用：结型场效应管的放大作用一般指的是电压放大作用。

电气特性

场效应管与晶体管在电气特性方面的主要区别有以下几点：

贴片场效应管

1：场效应管是电压控制器件，管子的导电情况取决于栅极电压的高低。晶体管是电流控制器件，管子的导电情况取决于基极电流的大小。 2：场效应管漏源静态伏安特性以栅极电压UGS为参变量，晶体管输出特性曲线以基极电流Ib 为参变量。

3：场效应管电流IDS与栅极UGS之间的关系由跨导Gm 决定，晶体管电流Ic与Ib 之间的关系由放大系数β决定。也就是说，场效应管的放大能力用Gm 衡量，晶体管的放大能力用β衡量。

4：场效应管的输入阻抗很大，输入电流极小；晶体管输入阻抗很小，在导电时输入电流较大。

5：一般场效应管功率较小，晶体管功率较大。

SI2323 SOT-23低压MOS管