深圳市浩畅半导体有限公司

场效应管/MOS管：2N7002K

产品封装：SOT-23

产品类型：低压MOS管

产品品牌：HC/浩畅

是否含铅：无铅环保

材料：硅胶

沟道：N

漏电流：0.115A

漏源电压VDSS(V)：60V

VGS(V):10V

POWER(W):0.2W 

产品详细规格参数：见产品规格书！

2N7002K N沟道MOS管的结构及工作原理

N沟道金属-氧化物-半导体场效应管(MOS管)的结构及工作原理

结型场效应管的输入电阻虽然可达106～109W，但在要求输入电阻更高的场合，还是不能满足要求。而且，由于它的输入电阻是PN结的反偏电阻，在高温条件下工作时，PN结反向电流增大，反偏电阻的阻值明显下降。与结型场效应管不同，金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET）的栅极与半导体之间隔有二氧化硅（SiO2）绝缘介质，使栅极处于绝缘状态（故又称绝缘栅场效应管），因而它的输入电阻可高达1015W。它的另一个优点是制造工艺简单，适于制造大规模及超大规模集成电路。

2N7002K SOT-23