深圳市浩畅半导体有限公司

MOSFET/场效应管AO3414

产品型号：AO3414

产品封装：SOT-23

产品品牌：浩畅

是否环保：无铅环保

包装：3000PCS

N沟道增强型功率MOSFET

漏极-源极电压（VDS）:20V

漏极电流（ID）:4.2A

漏源电流脉冲IDM:15A

栅源电压（VGS）: ±8V

结温（TJ）:150℃

储存温度（TSTG）:-55~150℃

耗散功率（PD）:1.4W

栅源极开启电压VGS(th):0.4 ~ 1.0V

栅源截至电流IGSS(F/R): ±100nA

质量方针
本公司为了追求卓越，将致力于：

★全员参与
鼓励和要求全体员工持续的创新质量价值
★持续改善
持续改善我们的制程，产品和服务
★满足顾客
倾听顾客的心声，达到顾客的要求
环境及职业健康安全方针

以人为本，综合治理，全面保障健康安全

节能降耗，清洁生产，预防和控制环境污染

诚信守法，持续改进，同创安全绿色“浩畅”

场效应管AO3414

场效应管AO3414