深圳市浩畅半导体有限公司

SI2312  N沟道增强型功率MOSFET

该SI2312采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON），低闸极电压为2.5V低栅极电荷和操作。本装置适用于电池保护或其它开关中的应用。
总体特征
●VDS = 20V，ID = 4.5A
RDS（ON）< 40mΩ@ VGS = 2.5V
RDS（ON）< 33mΩ@ VGS = 4.5V
●高功率和电流处理能力
●无铅产品获得
●表面贴装封装
应用
●电池保护
●负荷开关

●电源管理

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应管属于电压控制元件，这一特点类似于电子管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。

特点

（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；

（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。

（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；

（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；

（5）场效应管的抗辐射能力强；

（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

 深圳市浩畅半导体有限公司成立于2008年, 专~业研发、生产、销售半导体分立器件及IC。选购国内外著~名半导体厂家的晶圆芯片，OEM委托国内半导体封装大厂生产加工。主营贴片二、三极管系列，高、低压MOS系列，电源管理IC（AC-DC/DC-DC)， LDO低压差线性稳压器，三端稳压IC，基准源IC，LED驱动IC，降压、升压IC，电压检测，运算放大器，电压比较器，时基电路，功放电路，可控硅，整流桥等系列产品。

SI2312 SOT-23低压MOS管

SI2312 SOT-23场效应管