深圳市浩畅半导体有限公司

MOSFET/场效应管 SI2303

产品型号：SI2303

产品封装：SOT-23

产品品牌：HC/浩畅

是否环保：无铅环保

包装：3000PCS

P沟道增强型功率MOSFET

漏极-源极电压（VDS）:-30V

漏极电流（ID）:-2.0A

漏源电流脉冲IDM：-10A

栅源电压（VGS）: ±20V

结温（TJ）:150℃

储存温度（TSTG）:-55~150℃

耗散功率（PD）:1.0W

栅源极开启电压VGS(th):-1 ~ -2.5V

栅源截至电流IGSS(F/R): ±100nA

MOS管怎么区分N沟道和P沟道

MOS管的大致结构G极、D极、S极

一、

    在电路图中N沟道的MOS管箭头是向内侧指向，P沟道的箭头是向外侧指向的。

二、

 在实际测量中我们教大家用外用表测试，MOS管有S极、和D极。

三、

 N沟道的测量方法是:万用表打到二极管档，红表笔接S极，黑表笔接D极，测到400到800的阻值就可以判断这个MOS管是N沟道的。

四、

 P沟道的测量方法是:万用表打到二极管档，红表笔接D极，黑表笔接S极，测到400-800的阻值可以判断这个MOS管是P沟道的。

现货热销同系列低压MOS场效应管：SI2300   SI2301   SI2302   SI2303   SI2305   SI2307   SI2306   SI2309   SI2308   SI2310   SI2312   SI2315等系列产品！

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