深圳市浩畅半导体有限公司

AO3407  P沟道增强型功率MOSFET

该AO3407采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（ON），该装置适用于负荷开关或在PWM应用。
总体特征
●VDS =-30V，id = -4.1A
RDS（ON）＜95mΩ@ VGS = -4.5v
RDS（ON）< 65mΩ@ VGS = - 10V
●高功率和电流处理能力
●无铅产品获得
●表面贴装封装
应用
●PWM应用
●负荷开关

●电源管理

MOS管怎么区分N沟道和P沟道

MOS管的大致结构G极、D极、S极

一、

    在电路图中N沟道的MOS管箭头是向内侧指向，P沟道的箭头是向外侧指向的。

二、

 在实际测量中我们教大家用外用表测试，MOS管有S极、和D极。

三、

 N沟道的测量方法是:万用表打到二极管档，红表笔接S极，黑表笔接D极，测到400到800的阻值就可以判断这个MOS管是N沟道的。

四、

 P沟道的测量方法是:万用表打到二极管档，红表笔接D极，黑表笔接S极，测到400-800的阻值可以判断这个MOS管是P沟道的。

质量方针
本公司为了追求卓越，将致力于：

★全员参与
鼓励和要求全体员工持续的创新质量价值
★持续改善
持续改善我们的制程，产品和服务
★满足顾客
倾听顾客的心声，达到顾客的要求
环境及职业健康安全方针

以人为本，综合治理，全面保障健康安全

节能降耗，清洁生产，预防和控制环境污染

诚信守法，持续改进，同创安全绿色“浩畅”

AO3407 SOT-23-3L