深圳市浩畅半导体有限公司

MOSFET/场效应管 SI2315

产品型号：SI2315

产品封装：SOT-23

产品品牌：HC/浩畅

是否环保：无铅环保

包装：3000PCS

P沟道增强型功率MOSFET

漏极-源极电压（VDS）:-12V

漏极电流（ID）:-3.85A

漏源电流脉冲IDM:-12A

栅源电压（VGS）: ±8V

结温（TJ）:150℃

储存温度（TSTG）:-55~150℃

耗散功率（PD）:1.19W

栅源极开启电压VGS(th):-0.45 ~ -0.9V

栅源截至电流IGSS(F/R): ±100nA

场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^8～10^9Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

场效应管属于电压控制元件，这一特点类似于电子管，但它的构造与工作原理和电子管是截然不同的，与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。

特点

（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；

（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大。

（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；

（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；

（5）场效应管的抗辐射能力强；

（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

SI2315 SOT-23低压MOS管