深圳市浩畅半导体有限公司

MOSFET/场效应管 SI2302

产品型号：SI2302

产品封装：SOT-23

产品品牌：浩畅

是否环保：无铅环保

包装：3000PCS

N沟道增强型功率MOSFET

漏极-源极电压（VDS）:20V

漏极电流（ID）:2.5A

栅源电压（VGS）: ±12V

结温（TJ）:150℃

储存温度（TSTG）:-55~150℃

耗散功率（PD）:1.0W

栅源极开启电压VGS(th):0.5~1.2V

栅源截至电流IGSS(F/R): ±100nA

 主要参数

1.开启电压VT

·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；

·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；

·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2. 直流输入电阻RGS

mos管·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比

·这一特性有时以流过栅极的栅流表示

·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。

3. 漏源击穿电压BVDS

·在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS

·ID剧增的原因有下列两个方面：

（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿

（2）漏源极间的穿通击穿

·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID

4. 栅源击穿电压BVGS

·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。

5. 低频跨导gm

·在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导

·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力

·是表征MOS管放大能力的一个重要参数

·一般在十分之几至几mA/V的范围内

6. 导通电阻RON

·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数

·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间

·由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似

·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内

7. 极间电容

·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS

·CGS和CGD约为1～3pF

·CDS约在0.1～1pF之间

8. 低频噪声系数NF

·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的

·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化

·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）

·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小

·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数

·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小

SI2302 SOT-23场效应管

SI2302 SOT-23场效应管